一·设备用途：

1. 提纯金属、半导体、有机和无机的化学材料；
2. 区熔致匀（使一种欲掺入的杂质十分均匀地分布在整个单晶体中）
3. 焊接和测量液体中的扩散率等。

二·设备优点：
 
  1·区熔加热炉采用往复区熔的方式，闭环温度控制，可靠的控制熔区的宽度问题；生长室的设计成功解     决生长室的污染问题，
  2·将加热及保温材料均设置在生长腔室外部，采用高纯石英作为腔室，同时抽真空；将流动高纯氢气通     入腔室，去除腔室中的微量氧，解决氧化的问题；
  3·开发高柔性的控制软件，采用触摸屏进行操作，任意设置区熔的温度，区熔的速度及次数。
三·主要技术参数

1. *高加热温度：     1200℃ 使用温度：500-1100℃
2. 设备功率：          ≤35Kw±10%  三相380v 50Hz（三相五线制）
3. 感应电源功率：     20Kw±10%  三相380v 50Hz（三相五线制）频率≥400kHz。
4. 红外加热功率：      2kw*2(暂定）
5. 冷态极限真空度：   ≤5×10^-4Pa
6. 石墨舟尺寸：     Ф70*200mm（外径*长度，半圆柱）
7. 石英管（腔室）尺寸： ¢90*1500（根据实际情况做调整）
8. 加热方式：        高频感应加热

9·区熔行程及速度：  位移行程 ≦1200mm
                    慢速：0.1-10mm/h（伺服控制）精度0.01mm 
                快速：200mm/min（伺服控制）（空走或者后退）
10.炉内充气压力：    ≤0.03MPa（氩气）
11·充气系统：      自动充放气
12.区熔温区：       2温区
13.石英管法兰连接方式：真空水冷密封法兰形式，留KF25真空接口，法兰材质304不锈钢
14.控制方式：触摸屏+plc