华科智源替代大功率ITC57300的参数测试仪

IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。

，华科智源替代大功率ITC57300的参数测试仪该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统，适用于电流不超过1600A和集电极电压不超过5000V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过1600A的二极管反向恢复特性的测试。

一、产品简述
TRd 2015系列是一款专门针对汽车级IGBT模块的低电感动态特性测试系统，提供30nH以内系统寄生电感，2000A/1500V动态输出能力，5500A短路电流, 200度高温平台，适用于HPD，HP1，HP2，double side cooling等封装形式的汽车级模块。
二、产品特点

1. 独立的动态或静态测试，或动静态一体测试
2. 系统整体寄生电感低于30nH
3. 电流输出能力10A到2000A(短路的5500A)
4. 电压输出能力从50V到1500V
5. 雪崩和短路测试可用。
6. IGBT测试完全符合IEC 60747-9-2.0版
7. 二极管测试完全兼容测试IEC 60747-2-2.0版
8. 可定制的测试选项
9. 完全符合国际安全标准
10. 提供自动测试平台，实现和自动化机械的无缝连接
11. 无缝数据传输和数据统计分析
12. *新的图形用户界面

1. 系统整体寄生电感 lt;30nH
2. 电流输出：10A-2000A
3. 电压输出：50V-1500V
4. 短路电流 大5500A
5. 自动测试平台：BTA 07 无缝兼容自动化测试产线

三、测试能力

1. 栅极漏电流 IGES ：Ige 0 - 10μA,Vge 0-100V
2. 栅极阀值电压 VGE(th)  ：Vge 0 - 20V ,ice 0-2A
3. 导通特性 VCEsat：Vce 0 - 10V，Ice 0-8000A
4. 开通电阻 Rdson:0.1-500ohm
5. 正向特性 VF:Vf 0 - 10V，If 0.1-2000A
6. C-E击穿电压 VCES:  Ice 0.1uA-100mA ,Vce 0-10000V
7. 集电极关断电流 ICES: Vce0 - 10000V Ice0.01 - 100mA

• 测试选件：

夹断电压 VP 

• 适用于模块类型：

HPD，HP1，HP2，双面散热等封装形式的汽车级模块

晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数测试（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
动态参数测试（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
环境老化测试（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
热特性测试（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件