IGBT-IGBT主要参数-IGBT的测试方法及与mosfet的对比分析

IGBT绝缘栅双极型晶体管模块是场效应晶体管（MOSFET）和电力晶体管（GTR）相结合的产物。它具有输入阻抗高、驱动功率小、开关损耗低、温度特性好以及开关频率高等特点。它比GTR（或BJT）更为新颖。IGBT模块的击穿电压已达到1200V，集电极饱和电流已超过1500A，工作频率可达30～40kHz，以IGBT为逆变器件的变频器的载波频率一般都在10kHz以上，故电动机的电流波形比较平滑，电磁噪声很小。缺点是断态时的击穿电压较低（约3.3kV），功耗较大，电路较复杂。