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大功率IGBT综合特性测试仪准确价格请咨询
1.00
吉林
长春艾克思科技有限责任公司
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大功率IGBT综合特性测试仪
一:主要特点
A:测量多种IGBTMOS
B:*大脉冲电流1200A
C:脉冲宽度 50uS~300uS
DVce测量精度2mV
EVce测量范围>10V
F:电脑图形显示界面
G:智能保护被测量器件
H:上位机携带数据库功能
IMOS IGBT内部二极管压降
二:应用范围
A大功率IGBT
B大功率场效应管(Mosfet
C:大功率二极管
D:标准低阻值电阻
E:其他测试应用
三:参数
类型 数值 单位 备注
*大脉冲电流
Collect node Pulse current
1200 A  
脉冲宽度
Pulse Width
50300 uS 分档
正向压降范围
Forward Sat voltage
>10 V 峰值
工作频率
Trigger Pulse
0.1~10 Hz 根据器件额定容量选择
电源输入电压
Power Requirement
220 VAC 功耗小于500W
电源输入频率
Frequency
50 Hz  
电源输入功率
Power rate
200W    
保险丝
Fuse
10 A  
光纤连线
Fiber  line
3 m 长度能加长
栅极电压
Vge
-20~+20 V  
栅极漏电流测试
Ig Leak current
-2~2 uA  
Vgeth 3~10 V IC=900mA Vce=5V
耐压测试
Voltage test
0~5000 VDC  
耐压测试漏电流
Ic Leak current
0~2 mA Vce=5000V
耐压测试漏电流
Ic Leak current
0~4 mA Vce=2000V
 
 
四:前后面板介绍
品牌:长春艾克思科技
加工定制:
型号:IGBT-1200A-MT
应用领域:仪器仪表
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