IGBT模块FZ1800R17KF4
北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货供应IGBT模块FZ1800R17KF4
大功率IGBT模块FZ1800R17KF4  

产品属性 属性值 
制造商: Infineon 
产品种类: IGBT 模块 
产品: IGBT Silicon Modules 
配置: Triple Common Emitter Common Gate

封装: IHM B 190
集电极—发射极电压 VCEO: 1700 V 
在25 C的连续集电极电流: 4800A 
小工作温度: - 40 C 
大工作温度: + 125 C 
高度: 38 mm 
长度: 190 mm 
宽度: 140 mm 
商标: Infineon Technologies 
安装风格: Chassis Mount 
CNHTS: 8541290000 
HTS Code: 8541290095 
栅极/发射极电压: +/- 20 V 
MXHTS: 85412999 
产品类型: IGBT Modules 
工厂包装数量: 1 
子类别: IGBTs 
TARIC: 8541290000 
零件号别名: FZ1800R17KF4NOSA1
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是大规模功率集成半导体开关器件。IGBT采用MOS栅输入结构，开关主体是双极晶体管，它兼有MOSFET的高输入阻抗、电压控制特点，又具有双极晶体管低饱和压降的优势；其*显著特点是高速、高压、大电流。功率开关在功率变换电路里处于地位，IGBT是当代功率开关的主流器件。
北京京诚宏泰科技有限公司供应IGBT模块FZ1800R17KF4 功率半导体器件一直是西门子/Infineon的产品，西门子在全球率先推出新型NPT-IGBT芯片，具有高可靠、低成本的*优性能价格比。西门子可提供电流从6A到3600A；电压从600V、1200V、1700V、2500V、3300V、到6500V全系列各种封装形式的IGBT模块。频率特性高频差好好续表应用多级放大器中间级,低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源 北京京诚宏泰科技有限公司原装FZ2400R17HE4_B9进口IGBT模块
Infineon IGBT采用NPT-IGBT工艺，600V“HS”系列硬开关频率高达100KHz， 1200V“SKW”系列硬开关频率可达40KHz。
Infineon第三代IGBT，采用沟槽栅+电场终止层（Fieldstop）技术，具有较低的饱和压降，低达1.50V 。Infineon IGBT温升低，有较大的血崩耐量。
FZ1800R17KF4
ALS31C1151QT 400V 15000UF
LDZ10501502
10.561.08987 Dynacomp 2 thyristor
ALS30G 1004 NX 
6SL3954-6KX00-0AA0
A5E36358257
A5E02630230
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R17KF6C_B2
FZ2400R17KF6C_B2
FZ1200R17KF4 
A5E36358260