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卡蓓特AI芯片封装隔离膜 ETFE膜材料
62.00
江苏苏州太仓市
卡蓓特新材料科技(苏州)有限公司
1年 | 指数:30 | 工商已认证
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AI芯片封装隔离膜产品介绍
性能特点

  • 超长寿命:耐温性强,在180℃下可稳定使用500-800次,是PET膜的10倍、硅胶膜的15倍;对助焊剂、蚀刻液等化学品的耐受性是硅胶膜的5 倍以上,在SiP封装中使用寿命达300次以上,可大幅减少更换频率,降低停机和人工成本。
  • 高稳定性:热收缩率<0.1%(180℃/2 小时),远低于PET膜的2%,能使BGA 焊球偏移不良率从5%降至0.3%;表面无硅迁移、无针孔,射频芯片的漏电率可下降至原来的1/10,良率从75%提升至95%;离型力波动±3g/in,扇出封装的 RDL 短路率从3% 降至0.2%。
  • 工艺适配性好:能耐受200-300℃高温,适配3D堆叠的 “一步法” 键合工艺,可缩短生产周期50%;耐溶剂性好,无需额外清洗工序;可弯曲半径<5mm,支持柔性基板的 “卷对卷” 封装,生产效率提升3倍,能满足可穿戴设备芯片的量产需求。

作用原理

  • 低应力离型:通过等离子体处理精准调控表面能,配合均匀的硅氧烷离型涂层,使离型力稳定控制在 10-25g/in 范围,且波动误差<±3g/in,确保脱模时芯片受力均匀,避免瞬时应力集中,减少晶圆裂纹和微凸点脱落等问题。
  • 高温惰性:ETFE分子链中的氟碳键稳定性极强,在300℃以下无任何分解产物,挥发物浓度<0.01ppm,且对封装过程中的化学品具有 “化学惰性”,能避免高温下的挥发物污染和芯片钝化层腐蚀,保障芯片电气性能。
  • 尺寸稳定与表面洁净:热膨胀系数可通过配方调整至30-50ppm/℃,与硅芯片、陶瓷基板的匹配度高,在150℃塑封成型中热收缩率<0.1%,能确保塑封料尺寸偏差控制在1μm以内;表面平整度可达纳米级,无针孔、无缺陷,塑封料残留率<0.01mg/cm²,可提升封装精度和良率。

应用领域

  • 芯片封装:在模塑工序中作为离型膜,防止封装材料与模具粘连;覆盖晶圆表面,防止切割、研磨过程中的机械损伤或化学污染;在芯片与引线框架粘接时,覆盖框架表面,防止粘接剂溢出污染焊点。
  • LED封装:具有高透光性,透光率≥95%,支持精密光学器件封装,提升 LED 发光效率与寿命;其耐候性可在户外 LED 显示或照明中抵抗紫外线与恶劣环境,延长产品寿命。
材质:ETFE薄膜
厚度:0.05 mm
宽度:1250 mm
品牌:卡蓓特
型号:KBT10
拉伸性能:52Mpa
透气性:良好
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