一、Behlke开关、可变导通时间、低导通电阻、SiC 和 Trench FET  

●通过碳化硅 FET (SiC)或Trench FET技术实现极低的导通电阻 
● 具有真正继电器特性的多功能 HV 开关
●由 TTL 信号控制的导通时间
●低动态开关损耗和 极低的导通损耗
●适用于工业电源应用
●在过载和电压反转方面具有鲁棒性
●对 HV 瞬变具有出色的 dv/dt 抗扰度  

Behlke应用说明 I：  BEHLKE 固态开关具有极端的上升和下降时间。如果您的应用不需要全开关速度，我们建议您将速度限制选项 S-TT（上升和下降时间慢约 50%）与输入低通滤波器选项 LP 结合使用。限速选项有助于*大限度地减少快速高压脉冲电路（例如自振荡、自重触发、振铃等）的典型高频困难，并总体上简化 EMC 设计。

Behlke应用说明2：快速固态开关对来自非钳位感性负载或过度布线电感的反向电流相对敏感。反向电流可能会以未定义的方式开启缓慢的本征（寄生）FET 二极管，并可能导致灾难性的开关故障，尤其是在关断阶段与高关断电流相结合。因此，当感性负载或高感性接线连接到开关时，建议始终将 FET 开关与快速续流二极管网络（快速串联阻断二极管 + 并联快速续流二极管）结合使用。该保护二极管网络可以通过 BEHLKE FDA 系列的单个二极管安装在外部。它也可以作为选项 I-FWDN 集成到交换模块中。

Behlke产品代码：型号包含有关电压、电流和开启行为的编码信息。个数字代表电压，以 kV 为单位，破折号前的*后一个数字表示开启行为（0 = 固定开启时间，1 = 可变开启时间）。破折号后的数字以安培 x10 为单位表示电流。特殊功能由第二个破折号后的字母编码。示例 HTS 61-15-SiC：HTS = 高压晶体管开关，6 = 6 kV，1 = 可变导通时间，120 = 1200 安培，SiC = 碳化硅（或 B = 低导通电阻沟槽 FET）   二、 Behlke高压开关、可变导通时间、双向/交流电压、MOSFET  

● 具有真正继电器特性的多功能高压开关 
● 与极性无关 
● 非常适合振荡电路和一般射频应用
● 可通过 TTL 信号控制接通时间 
● 对过载和电压反转具有鲁棒性
● 现已推出：LC2 技术可实现*高的瞬态抗扰度

Behlke产品代码： 型号包含有关电压、电流和开启行为的编码信息。个数字代表电压，以 kV 为单位，破折号前的*后一个数字表示开启行为（0 = 固定开启时间，1 = 可变开启时间）。破折号后的数字以安培 x10 为单位表示电流。特殊功能由第二个破折号后的字母编码。示例 HTS 11-07-AC -C：HTS = 高压晶体管开关，1 = 1 kV，1 = 可变导通时间，07 = 70 安培，AC = 交流电，C = 紧凑型系列