法国AnnealsysDLI-CVD直接注入式化学气相沉积设备-4英寸MC-100

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北京

北京朗铭润德光电科技有限公司

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Direct Liquid Injection Deposition Systems
The most efficient technology for deposition of new materials
直接液体注入式沉积设备
*具效率的新材料沉积技术
Semiconductor, micro batteries, BAW and SAW filters,
TMDs, energy harvesting, …
半导体、微电池、BAW和SAW过滤器，TMDs，能量收集
Chemical Vapor Deposition & Atomic Layer Deposition in the same system
在同一设备中实现化学气相沉积&原子层沉积

Simple and multi-metallic oxides
单金属氧化物、多金属氧化物
2D materials: graphene, h-BN, TMD
2D材料：石墨烯, h-BN, TMD
Metals nitrides and other materials
金属氮化物和其它材料
Capability to evaporate low vapor pressure precursors
可蒸发低气压前驱源
Perfect stoichiometry control of multi-metallic oxides
多金属氧化物化学计量完美控制
Multi-process capabilities: CVD, ALD, RTP, RTCVD
多重工艺能力：CVD, ALD, RTP, RTCVD
Cluster like system in a single reactor with MC-050
单反应腔配备MC-050的类枚页式设备

沉积材料举例：BaO, Y₂O₃, Cr₂O₃, TiO₂, Al₂O₃, HfO₂, Li₂O, Bi₂O₃, Co₃O₄, CuCrO₂, SiO₂, Li_xNb_yO_z, La_xNi_yO_z, Mo_vCr_wFe_xBi_yO_z, TiN, AlN, Pt, MoS₂ …

MC-100规格：

•MC-100设备是一台直径100mm，满足研发需求的DLI-CVD/DLI-ALD反应器。

•工艺腔室的双重配置可在同一个腔室中实现CVD和ALD工艺。

•直接液体注入雾化器（DLI）完美控制前驱源流量并可兼容低气压前驱源和稀释化的前驱源。

•前驱源气流的快速开关和旁路阀可以很好的控制纳米层压材料的沉积。

•经过优化的自动液体管路配置面板可大范围的减少化学前驱源的消耗。

•无死区的管路设计提供完美的管路清洁能力，便于反应物的更换和在手套箱中前驱源的二次装填。

应用：

•单一和多金属氧化物

•金属，氮化物和合金

•III-V化合物半导体

•宽禁带半导体

•纳米碳管和纳米线等等

	DLI-CVD&DLI-ALD
工艺	DLI-CVD, DLI-ALD, MOCVD, RTP, RTCVD
指标特点	MC-050	MC-100	MC-200
*大衬底直径	2”	4”	8”
温度范围	*高可达1100°C	旋转加热基片托，温度可达 800°C	旋转加热基片托，温度可达 800°C
腔室	不锈钢热控腔室	不锈钢热控腔室	不锈钢热控腔室
基片托	--	垂直运动的基片托	垂直运动的基片托
温度控制	快速数字PID	快速数字PID	快速数字PID
多工艺气体管路（MFC*）	8	8	8
*多直接液体喷射雾化器数量	6	4	4
应用	氧化物,金属,氮化物和合金,III-V,宽带隙半导体,2D和3D材料……	氧化物,金属,氮化物和合金,过渡金属氮化物, ,III-V,宽带隙半导体,纳米管和纳米线……	氧化物,金属,氮化物和合金,过渡金属氮化物, ,III-V,宽带隙半导体,纳米管和纳米线……
选项	手套箱接口和手套箱, 远程等离子体, 臭氧发生器, 鼓泡器，高温计温度控制，低真空泵，高真空泵	低真空泵，分子泵，机械化真空装填装载，ALD阀	电容等离子体，低真空泵，分子泵，机械化真空装填装载，ALD阀
可沉积材料	氧化物: Al2O3, BaO, Bi2O3, Co3O4, Cr2O3, CuCrO2, HfO2, Li2O, SiO2, TiO2, Y2O3, MovCrwFexBiyOz, … 氮化物: TiN, AlN 金属: Pt……

更多产品信息详见官网：www.longsun.asia

加工定制：	是
品牌：	法国Annealsys
型号：	MC-100
炉膛最高温度：	800 ℃