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一、设备介绍
快速退火炉AS-Micro, 桌面型，由法国Annealsys生产，主要应用于实验室，处理3英寸及以下基片。

二、快速退火炉相关参数规格
温度范围：室温至1250℃
工艺气路：*多4条配有MFC工艺气路，标配1条吹扫气路
升温速率：升温速率*高可达250℃/s（2英寸裸硅片）
设备可选单腔室与双腔式两种，双腔式可防止交叉污染。
配有热电偶完成温度测量，可选高温计。
设备具有真空能力，配有干式涡旋泵，可以选配分子泵。
工艺腔室中带有石英管以及不锈钢法兰。
若测试2“基片样品，可选择3”基片托。

三、快速退火炉的主要应用
快速热退火（Rapid Thermal Annealing）
注入退火(Implantation Annealing)
欧姆接触退火(Ohmic Contact Annealing)
快速热氧化(Rapid Thermal Oxidation)
快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation)
石墨烯的快速热化学沉积(RTCVD of Graphene)
致密化和结晶(Densification and crystallization)
硒化（Selenization）