法国Annealsys公司专注生产快速退火炉(RTP)、DLI-CVD直接注入式化学气相沉积设备，其研发生产的型号AS-Master快速退火炉，可适用基片尺寸8英寸以下兼容，可升级为全自动模式。

一、可适用基片类型：
硅和化合物半导体晶圆，GaN /蓝宝石和碳化硅晶圆，多晶硅晶圆，玻璃，金属，高分子聚合物，石墨和碳化硅托盘等等。

二、应用：
注入退火、欧姆接触退火(III-V and SiC)、碳化硅、快速热氧化RTO、快速热氮化RTN、致密和结晶、硒化、快速热CVD（多晶硅、SiO2, SiNx）……

三、产品特性：
Multi-zone infrared halogen lamp furnace with close loop air cooling
多区红外线卤素灯退火炉配有闭环空气冷却
Stainless steel cold wall chamber technology
不锈钢冷壁腔室技术
Fast digital PID temperature controller
快速数字PID温度控制器
Thermocouple and pyrometer control
热电偶和高温计控制
Atmospheric and vacuum process capability
大气和真空工艺性能
Purge gas line with needle valve
配有针阀的吹扫气路
Up to 6 process gas lines with digital MFC
*多6条工艺气路，配有MFC
PC control with Ethernet communication for fast data logging
配有以太网通讯的PC控制，用于快速数据记录
Optional turbo pump and pressure control
可选配涡旋泵和压力控制
Manual or cassette to cassette loading
手动或盒到盒装载

四、多配置选择：
S20: standard, 6 zones, up to 1150°C
S20: 标准, 6个区域, *高到1150°C，升温速率可达100°C/s
S20 HT: high temperature, 6 zones, up to 1450°C
S20 HT: 高温, 6 个区域, *高到1450°C，升温速率可达200°C/s
2000: enhanced uniformity, 10 zones, up to 1250°C
2000: 增强均匀性, 10个区域, *高到1250°C，升温速率可达150°C/s
2000 HT: can run in S20 HT or 2000 configuration
2000 HT: 可在S20 HT或2000配置中运行
Multi temperature port locations to meet different substrate sizes
多温度端口位置以满足不同基片尺寸
Optional pumping chamber for low vacuum processes
可选配适用于低真空工艺的抽真空腔室
Gas panel for annealing to CVD applications
气体面板用于CVD应用的退火
Optional pressure control
可选配压力控制
Optional turbo pumping
可选配涡轮泵
Cassette to cassette version
盒到盒版本