法国Annealsys公司专注生产快速退火炉(RTP)、DLI-CVD直接注入式化学气相沉积设备，其研发生产的型号AS-Premium快速退火炉，可适用基片尺寸156mm*156mm及以下兼容，具有多种配置模式，可升级为全自动机械手模式。

一、可适用基片类型：
硅和化合物半导体晶圆，碳化硅晶圆，太阳能电池多晶硅晶圆，玻璃，金属，石墨和碳化硅托盘等等。

二、应用：
注入退火、欧姆接触退火(III-V and SiC)、快速热氧化RTO、快速热氮化RTN、致密和结晶、硒化（CIGS太阳能电池）、石墨烯CVD、旋涂掺杂物扩散……

三、产品特性：
Infrared halogen tubular lamp furnace with silent fan cooling
红外卤素灯管加热，无音风扇冷却
Square process chamber for substrates up to 156x156mm²
方形工艺腔室，用于处理*大156x156mm²基片
200 mm process capability
200mm工艺能力
Stainless steel cold wall chamber technology
不锈钢水冷腔室壁技术
Fast digital PID temperature controller
快速数字PID温度控制器
Thermocouple and pyrometer control
热电偶和高温计控制
Atmospheric and vacuum process capability
常压和真空工艺性能
Purge gas line with needle valve
配备针阀的气体吹扫管路
Up to 8 process gas lines with digital MFC
8条带数字MFC的工艺气路
PC control with Ethernet communication for fast data logging
计算机控制配备以太网通信用于快速数据记录
Optional turbo pump and pressure control
可选分子泵和压力控制

四、多配置选择：
低温单侧加热：4加热区，*高温度1100℃。
高温单侧加热：8加热区，*高温度1300℃。
双面加热：6加热区，*高温度1300℃。
AS-Premium快速退火炉设备可配置为全自动机械手模式。