通过将*先进的光电二极管与久经考验的杰出FEMTO GHz放大器技术相结合,我们设计了性能卓越的新型光电接收器系列。HSPR-X和HSA-XS提供2 GHz的带宽上限。两种带有快速Si-PIN或InGaAs-PIN光电二极管的型号分别覆盖320至1000 nm和900至1700 nm的光谱范围。由于采用了先进的放大器设计,在5 x 10 3 V / A的跨阻情况下,*小NEP仅为11 pW /√Hz 。这样就可以以GHz速度测量µW范围内的光功率水平。
模型 | HSA-XS-1G4-SI |
HSPR-XI-1G4-SI 倒置 |
HSA-XS-2G-IN |
HSPR-XI-2G-IN 倒置 |
光电二极管 | Ø0.4毫米Si-PIN | Ø0.4毫米Si-PIN | Ø0.1 mm InGaAs引脚 | Ø0.1 mm InGaAs引脚 |
光谱范围 | 320 ... 1000纳米 | 320 ... 1000纳米 | 900 ... 1700纳米 | 900 ... 1700纳米 |
带宽(−3 dB) | 10 kHz至1.4 GHz | 10 kHz至1.4 GHz | 10 kHz至2 GHz | 10 kHz至2 GHz |
上升/下降时间 (10%-90%) |
250 ps | 250 ps | 180 ps | 180 ps |
跨阻增益 | 5 x 10 3 V / A |
5 x 10 3 V / A 倒置 |
5 x 10 3 V / A |
5 x 10 3 V / A 倒置 |
转换收益 |
2.55 x 10 3 V / W (@ 760纳米) |
2.55 x 10 3 V / W (@ 760纳米) |
4.75 x 10 3 V / W (@ 1550纳米) |
4.75 x 10 3 V / W (@ 1550纳米) |
NEP(@ 100 MHz) |
32 pW /√Hz的 (@ 760纳米) |
19 pW /√Hz的 (@ 760纳米) |
16 pW /√Hz的 (@ 1550纳米) |
11 pW /√Hz的 (@ 1550纳米) |
输出电压驻波比 | 2.5:1 | 1.4:1 | 2.5:1 | 1.4:1 |
*大输出电压@ 50Ω | 1.9 V PP | 2.0 V PP | 1.9 V PP | 2.0 V PP |
输出噪音 | 3.6 mV均方根 | 2.5 mV RMS | 3.6 mV均方根 | 2.5 mV RMS |
可用的输入选项 | 可用空间(FS)或FC | 可用空间(FS)或FC | 可用空间(FS)或FC | 可用空间(FS)或FC |
品牌: | 德国FEMTO |
加工定制: | 否 |
型号: | HSPR-X-I-2G-IN |
光源: | 1 |
波长范围: | 1 nm |
焦距: | 1 mm |
外形尺寸: | 1 mm |
重量: | 1 g |