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波兰QWED电质谐振器、半导体SPDR/SiPDR/Q-SCR/FPOR/2D SPDR
￥9999.00
天津
天津瑞思拜科技有限公司
2年 | 指数：75 | 工商已认证
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产品介绍

 

分裂柱介电谐振器（SPDR）技术参数说明

一、应用领域

SPDR 主要用于测量层状介电材料的复介电常数，具体包括：
  • 低温共烧陶瓷（LTCC）基板；
  • 沉积在低损耗介电基板上的铁电薄膜。

此外，该谐振器还可用于表征导电材料的表面电阻和电导率，适用场景如：
  • 商用电阻层；
  • 导电聚合物薄膜；
  • 高电阻率半导体。
    注：仅适用于表面电阻 Rs > 5 kΩ/□ 的大表面电阻样品。

二、测量精度（厚度为 h 的样品）

  • 介电损耗角正切误差：Δtanδ = ±2×10⁻⁴ 或 ±0.03×tanδ（取较大值）；
  • 相对介电常数误差：Δε'/ε' = ±(0.0015 + Δh/h)。

三、工作频率范围

  • SPDR 基于特定谐振模式工作，谐振频率由谐振器尺寸决定，同时受被测样品电性能影响。
  • 基本系列标称频率：1.1 GHz、1.9 GHz、2.45 GHz、5 GHz、10 GHz。
  • 可按需求定制 1.1 至 20 GHz 范围内的其他频率谐振器。

四、执行测量所需设备

  • 核心设备：矢量网络分析仪（如 Agilent Technologies PNA/ENA 系列）。
  • 配套软件：
    • 85071E 材料测量软件（选项 300），支持直接在网络分析仪显示屏输出*终结果；
    • 介电性能计算软件（适用于非 Agilent 网络分析仪，需安装在标准 PC 上）。

五、测量程序

  1. 使用 Agilent 网络分析仪时：
    • 上传 85071E 软件至设备；
    • 测量空谐振器与含样品谐振器的谐振频率及品质因数（Q 值）；
    • 软件自动计算介电常数和介电损耗角正切。
  2. 使用其他网络分析仪时：
    • 测量步骤同上；
    • 通过 PC 端计算软件获取结果。

六、样品尺寸要求

样品*小尺寸取决于谐振器工作频率，常用频率对应参数如下：
标称频率 [GHz] 样品*小尺寸 [mm] 样品厚度 [mm]
1.1 120×120 6.0
1.9 70×70 4.0
3.2 50×50 3.0
5+6 30×30 2.0
9+10 22×22 1.0
13+16 15×15 0.6
18+20 10×10 0.5
 

单芯片电介质谐振器（SiPDR）技术参数说明

一、应用领域

SiPDR 主要用于以下场景的电性能测量：
  • 表面阻抗测量：超材料、电阻薄膜；
  • 非接触式电导率测量：半导体晶圆。

适用材料范围包括：
  • 电阻层、金属薄膜；
  • 表面电阻 Rs < 20 kΩ/□ 的导电聚合物薄膜；
  • 电阻率 ≤ 1000 Ω・cm 的半导体晶圆（更高电阻率样品建议使用分裂柱介电谐振器）。

注：所有 SiPDR 均为定制化制造。

二、测量精度（厚度为 h 的样品）

表面电阻测定精度约为 ±2%。

三、工作频率范围

可定制生产谐振频率在 2 GHz 至 30 GHz 区间的 SiPDR。

四、工作温度范围

-270°C 至 110°C。

五、执行测量所需设备

核心设备：矢量网络分析仪。

六、测量程序

  1. 测量步骤：
    • 分别获取空谐振器与含样品谐振器的谐振频率及品质因数（Q 值）；
  2. 数据处理：
    • 按谐振器手册中规定的格式将测量值保存为文本文件；
    • 使用随设备提供的专用应用程序读取文件数据，计算表面电阻 R。

TE₀₁δ 模式电介质谐振器技术参数说明

一、技术背景与专家背景

耶日・A・克鲁普卡（Jerzy A. Krupka）是微波频率材料电磁特性测量领域的权威专家，拥有华沙理工大学电子工程博士及理学博士学位，现任该校教授。其代表性学术成就包括：
  • 专注于微波介电测量技术的前沿研究；
  • 多项成果推动了介电谐振器技术的标准化应用。

二、应用领域

TE₀₁δ 模式介电谐振器技术主要用于：
  1. 高精度复介电常数测量：针对块状低损耗圆盘或圆柱状介电陶瓷材料；
  2. 衍生参数测量：介电常数热系数、介电损耗角正切。

配套支持：
  • QWED 提供专用计算软件，支持复介电常数的严格解算；
  • 可定制不同尺寸腔体，配备可调耦合机制及低损耗介电支撑结构。

三、测量精度（直径为 d 的样品）

  • 介电损耗角正切误差：Δtanδ = ±2×10⁻⁴ 或 ±0.03×tanδ（取较大值）；
  • 相对介电常数误差：Δε'/ε' = T・(Δh/h) + (2 - T)・(Δd/d)（0 < T < 1，T 为系数）。

四、工作频率范围

  • 典型测量频率：1 至 10 GHz，取决于样品直径、高度及介电常数；
  • 高频扩展方案：通过缩小腔体与样品尺寸或采用高阶准 TE 泛模，可实现更高频率测量。

五、工作温度范围

-270°C 至 110°C。

六、执行测量所需设备

核心设备：矢量网络分析仪。

七、样品尺寸要求

为保证测量精度，样品尺寸需满足：
  • 直径与高度均控制在腔体对应尺寸的 0.25 至 0.6 倍范围内。

八、测量程序

  1. 将样品放置于金属腔体内的低损耗介电支撑上；
  2. 测量 TE₀₁δ 模式的谐振频率及品质因数（Q 值）；
  3. 通过专用软件计算介电常数及介电损耗角正切。

QWED 石墨烯测量专用谐振器技术说明

一、技术背景与科学意义

石墨烯特性研究是国际科研领域的前沿热点。2010 年 10 月，安德烈・海姆（Andre Geim）与康斯坦丁・诺沃肖洛夫（Konstantin Novoselov）因 “二维材料石墨烯的突破性实验” 共同斩获诺贝尔物理学奖，这一成就推动了全球对石墨烯电性能研究的热潮。

二、技术研发与产品优势

QWED 专家耶日・克鲁普卡教授率领团队开发出微波频段石墨烯专用测量谐振器，其核心优势包括：
  • 精准测量场景：针对沉积在 10 mm×10 mm 介电基板上的石墨烯薄膜；
  • 工作频率：聚焦约 13 GHz 微波频段，匹配石墨烯表面等离子体共振特性；
  • 商业应用：该谐振器已通过 QWED 完成商业化量产，面向科研与产业用户开放供应。

三、技术参数与适用范围

  • 样品规格：适配 10 mm×10 mm 介电基板（如 SiO₂、蓝宝石等）上的单层 / 少层石墨烯；
  • 测量维度：可量化石墨烯的表面电导率、载流子迁移率及费米能级等关键电性能参数；
  • 系统兼容：支持与矢量网络分析仪（如 Keysight PNA 系列）集成，实现全自动化数据采集。

四、研发团队与技术支撑

耶日・克鲁普卡教授作为华沙理工大学电磁测量领域权威专家，在微波介电谐振技术领域拥有 30 余年研究经验，其团队开发的测量方案已被《Nature Materials》等顶刊收录的石墨烯研究成果引用超过 200 次。QWED 提供从硬件设备到数据分析软件的全链条技术支持，确保测量数据的可靠性与可重复性。

法布里 - 珀罗开放谐振器（FPOR）技术方案说明

一、设备设计与核心功能

带凹面镜结构的法布里 - 珀罗开放谐振器（FPOR）专为 10-130 GHz 频段电介质片电磁特性测量设计，具备自动宽带化谐振测试能力。系统通过专用控制软件实现全流程自动化测量，基于实测频率与品质因子数据，高精度反演材料复介电常数，适用于研发与量产场景的介电性能表征。

二、技术参数指标

参数类型 具体规格
频率范围 10-130 GHz（支持定制频段：10-26.5 GHz/10-43 GHz/10-50 GHz 等）
介电常数（Dk） 测量范围 1-15，精度 ±0.2%
损耗角正切（Df） 可测下限 5×10⁻⁴，测量精度 2%
样品规格 厚度：1 μm-3 mm；直径：50-150 mm（推荐测量区间 80-100 mm）
测量耗时 单次测量＞1 分钟
温度条件 标准室温环境，可选 0-80℃温控模块
特殊功能 支持板面各向异性材料测量，全自动化软件控制

三、测量原理与执行流程

通过 PC 端专用软件实现三阶段自动化测量：
  1. 基准校准：测量空谐振器的 TEMmnq 奇模共振频率及 Q 因子；
  2. 样品测试：将样品置入支架，系统自适应搜寻目标模式，获取频率与 Q 因子变化量；
  3. 数据反演：通过与 FPOR 电磁模型预设计算的查找表比对，精准提取介电常数（Dk）与损耗角正切（Df）参数。

四、技术优势解析

  • 宽频适应性：10-130 GHz 频段覆盖毫米波与太赫兹低频段，满足 5G 射频材料、微波介质陶瓷等多场景需求；
  • 高精度表征：Dk 精度达 ±0.2%，适配低损耗材料（Df＜10⁻³）的精密测量；
  • 自动化流程：从参数采集到结果输出全链路自动化，避免人工干预误差，支持批量样品测试。

2D SPDR 材料成像扫描仪技术方案

一、系统组成与创新设计

该测量装置集成三大核心模块，构建轻量化材料表征方案：
  • 10GHz 分裂柱介电谐振器（SPDR）：作为核心传感单元，实现微波频段电磁信号与材料参数的交互转换；
  • 电动样品扫描平台：支持亚毫米级精度的平面二维移动，覆盖材料表面扫描需求；
  • 手持式 Q 计测量终端：替代传统矢量网络分析仪（VNA），实现 Q 因子的快速采集，设备体积缩小 70%、成本降低 60%。

控制层设计：通过笔记本电脑应用程序实现全流程自动化控制，兼具鲁棒性、便携性与成本优势，已通过 IEC 规范认证，测量精度与商用 SPDR 及实验室 VNA 等效。

二、测量原理与数据特性

SPDR 技术基于电场能量密度加权平均机制，实现平面材料参数的空间分布测量：
  • 敏感区域特性：以 10GHz SPDR 为例，中心坐标(x0​,y0​)的谐振器对周边 10mm 内材料点产生影响，其中 3-5mm 范围内的点贡献权重*高；
  • 非均匀材料适配：测量值反映谐振腔水平截面内介质与附近区域的参数均值，需在不均匀材料测试中考虑空间加权效应。

三、二维成像技术实现

QWED 开发的 10GHz SPDR 二维扫描系统通过以下技术路径提升成像分辨率：
  1. 网格扫描策略：以均匀空间间隔采集材料参数，构建原始数据矩阵；
  2. 信号处理算法：结合小波变换与反卷积技术，对原始数据进行去噪与分辨率增强；
  3. 参数可视化：生成介电常数（ε'）与损耗角正切（tanδ）的二维彩色映射图，分辨率较直接测量提升 3 倍以上。

四、技术优势对比

指标 传统 VNA 方案 2D SPDR 扫描仪
设备体积 机柜式（≥0.5m³） 便携式（≤10kg）
单次测量耗时 5-10 分钟 ＜1 分钟
空间分辨率 20-30mm 5-8mm（算法增强后）
成本投入 ＞10 万美元 ＜3 万美元
现场适应性 实验室固定场景 支持产线 / 野外移动测量
 


品牌介绍

QWED 公司简介：高精度电磁测量领域的创新引领者

一、企业概况与发展历程

QWED 成立于 1997 年，总部坐落于波兰华沙，是一家聚焦电磁测量技术的高科技企业。作为学术研究与产业创新融合的典范，公司自创立以来始终致力于将微波技术、材料科学与智能控制技术转化为前沿测量解决方案，至今已在全球电磁测量领域建立技术领先地位。
 

二、核心团队与技术布局

公司汇聚跨学科人才，构建由学术研究人员、微波工程师与计算机专家组成的研发团队，形成从理论建模到工程实现的全链条技术能力：
  • 技术研发方向：
    • 高精度电磁测量设备的设计与制造；
    • 定制化谐振器解决方案（配备人性化梯度用户界面）；
    • 微波 / 毫米波频段 Q-Meter 系统开发（计算机控制的微波振荡系统，支持与专用谐振器联动，实现快速自动化测量）。

三、产品矩阵与技术优势

  1. 核心产品体系：
    • 定制化谐振器系列：针对不同应用场景（如介电材料、导电薄膜、石墨烯等）设计，支持频率范围 1GHz 至 130GHz，适配从科研到量产的全场景需求；
    • Q-Meter 测量系统：集成计算机控制模块与专用谐振器，相比传统矢量网络分析仪，具备体积小（缩小 60%）、测量速度快（效率提升 80%）、自动化程度高的特点。
  2. 技术创新亮点：
    • 所有产品搭载自主研发的智能软件系统，实现 “测量 - 分析 - 可视化” 全流程自动化；
    • 测量精度满足 IEC 国际标准，部分指标（如介电常数测量误差≤±0.2%）达到行业领先水平。

四、全球布局与市场影响力

  • 团队规模：现有 10 名核心员工与 6 名行业顾问，成员多来自华沙理工大学等顶尖科研机构；
  • 市场覆盖：产品远销六大洲 33 个国家，服务对象包括高校实验室、跨国企业研发中心及航空航天机构；
  • 客户口碑：以 “始终如一的高品质” 著称，多次获得客户关于设备稳定性、测量重复性的赞誉，典型案例包括为欧洲航天局提供太赫兹频段测量解决方案。

五、企业定位与愿景

作为连接学术研究与产业应用的桥梁，QWED 坚持以技术创新驱动行业进步，通过将前沿电磁理论转化为实用测量工具，持续为全球客户提供兼具精度与性价比的解决方案，致力于成为微波测量领域的企业。



QWED 核心技术产品体系与业务布局

一、QuickWave 系列电磁软件包 —— 全场景电磁仿真解决方案

QWED 自主研发的 QuickWave 系列软件已成为电磁研究与工业设计领域的标准工具，核心产品矩阵如下：
（一）QW-Modeller
  • 定位：QuickWave 生态免费 CAD 建模工具
  • 功能：支持参数化建模与网格划分，高效辅助用户构建完整电磁仿真项目，兼容 STL、STEP 等主流格式导入导出。
（二）QuickWave 3D
  • 技术核心：基于保形 FDTD（有限时域差分）方法的通用电磁仿真软件
  • 特色模块：
    • 曲面边界处理技术，精准模拟复杂几何结构；
    • 介质接口自适应求解器，支持多材料混合场景；
    • 模态激励源与 S 参数提取工具，适配天线、射频组件设计。
（三）QuickWave V2D
  • 领域：轴对称结构电磁分析（如喇叭天线、介质棒、双锥天线等）
  • 技术优势：
    • 基于柱坐标麦克斯韦方程，计算效率较 3D 分析提升 100 倍；
    • 支持 2100 个波长规模的超大规模仿真；
    • 集成模块：
      • 渐变结构优化工具、Qrony 瞬态求解模块；
      • GPU 加速与多线程并行计算版本；
      • 加热效应仿真模块、Inventor® 接口 QW-Addin（无缝对接 Autodesk® 软件生态）。

二、微波测量设备 —— 高精度电磁特性表征方案

（一）谐振器测试夹具系列
QWED 全系列谐振器均配备 Jerzy Krupka 教授团队研发的专用分析软件，测量数据经《IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques》等数十种权威学术出版物验证，典型产品包括：
产品型号 技术特点 核心应用
分裂柱介电谐振器（SPDR） 10 GHz 等多频段可选，适配层状介电材料复介电常数测量 LTCC 基板、铁电薄膜电性能表征
单柱介电谐振器（SiPDR） 2-30 GHz 频段，非接触式测量半导体晶圆电导率 电阻薄膜表面阻抗、金属薄膜电导率测试
TE₀₁δ 模式介电谐振器 1-10 GHz 典型频段，支持介电常数热系数测量 低损耗介电陶瓷材料全温域特性分析
石墨烯测量专用谐振器 13 GHz 定制频段，10 mm×10 mm 基板适配 二维材料表面电导率高精度测量
法布里 - 珀罗开放谐振器（FPOR） 10-130 GHz 宽频范围，支持各向异性材料测量 毫米波介质片介电常数与损耗角正切表征

行业案例：安捷伦科技（Agilent Technologies）选用 QWED 85071E 材料测量软件选件 300，补充其分体式介电谱测量方案，实现高精度复介电常数反演。
（二）微波频率 Q-Meter 测量系统
  • 产品定位：袖珍型智能测量设备（体积较传统 VNA 缩小 60%）
  • 技术组合：
    • 配套分体式 / 单柱式介电谐振器（如 SPDR、SiPDR 系列）；
    • 支持 8.4-10.4 GHz 等定制频段，实现 Q 因子快速自动测量，效率提升 80%。

三、全球业务布局与核心产品线

（一）核心应用领域
聚焦高校实验室、科研院所、企业研发中心等场景，为电磁材料研究、射频器件设计、微波系统开发提供关键技术支撑。
（二）主要产品矩阵
  1. 测量设备：
    • 微波 Q 表（如 Q-Meter 8.4-10.4 GHz）；
    • 全系列谐振器（SPDR、SiPDR、TE₀₁δ、FPOR 等）；
    • 2D SPDR 材料成像扫描仪（10 GHz 型号）、专用电源模块。
  2. 软件产品：
    • QuickWave 3D/V2D 电磁仿真软件、QW-Modeller 建模工具；
    • 谐振器配套分析软件（支持介电常数 / 损耗角正切自动计算）。
（三）典型型号清单
SPDR 10 GHz、SiPDR 2-30 GHz、TE₀₁δ 模式谐振器、FPOR 10-130 GHz、Q-Meter 8.4-10.4 GHz、2D SPDR 扫描仪等，全产品线覆盖 1 GHz 至 130 GHz 电磁测量需求。

关于我们
   天津瑞思拜科技有限公司（Tianjin Risby Technology Co.,Ltd）是一家从事工业设备、自动化产品，仪器仪表等进口工业品服务商，提供过程控制技术咨询，工业自动化集成设计与改造，成套设备与技术引进等工业技术应用及产品供应服务。产品广泛应用于能源化工、汽车制造、冶金、石油、航空航天、电力、电子、食品饮料、制药、注塑、橡胶、医疗等行业。瑞思拜与欧美众多厂家达成战略合作，为中国制造业赋能，提供一个以工业品为依托，集售前选型，产品销售，技术服务，安装调试，售后服务于一体的平台。

  我们是德国 RVT SYSTEME搅拌器、德国 DOSTMANN 温湿度测量仪、英国 LEO BODNAR 视频信号测试仪、英国 LEVEL DEVELOPMENTS 倾角仪、德国 NEDO 激光测量仪、比利时 AGFA等多家产品的合作代理商。
欢迎致电，期待与您的合作！
品牌：波兰QWED
型号：SPDR/SiPDR/Q-SCR/FPOR/2D SPDR
频率容差：精度约为 ±2%
调整频差：2 GHz 至 30 GHz
工作温度：-270°C 至 110°C
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