AXUV100TF400光敏二极管的特点
- 100平方毫米的有效面积
- 波长40纳米灵敏度为0.15 A/W
- 检测范围:18纳米至80纳米
- 发货时带有保护罩
AXUV100TF400光敏二极管10mmx10mm测试条件下,有效面积的典型值是100mm²。在40nm波长下灵敏度典型值是0.15A/W。当VR为±10mV时,分流电阻*小值为20欧姆,当电阻的电流为IR=1µA时,反向击穿电压*小值是5V,典型值是10V。VR=0V时,电容的典型值是10nF,*大值是44nF。
AXUV100TF030光敏二极管在25°C时的电光特性如下。 在10mmx10mm测试条件下,有效面积的典型值是100mm²。在3nm波长下灵敏度典型值是0.16A/W。当VR为±10mV时,分流电阻*小值为20欧姆,当电阻的电流为IR=1µA时,反向击穿电压*小值是5V,典型值是10V。VR=0V时,电容的典型值是10nF,*大值是44nF。
从典型的灵敏度图可以看到从波长5nm开始灵敏度随着波长的增加而减小。
SXUV100TF135光敏二极管的特点
- 100平方毫米的有效面积
- 在13.5纳米处灵敏度为0.09 A/W
- 探测范围12纳米至18纳米
- 发货时带有保护罩
SXUV100TF135光敏二极管在10mmx10mm测试条件下,有效面积的典型值是100mm²。在13.5nm波长下灵敏度*小值是0.08A/W,典型值是0.09A/W,*大值0.1A/W。当VR=15V时,暗电流典型值是8nA,*大值是25nA。当IR=1µA时,反向击穿电压*小值是25V。VR=0V时,电容的*小值是0.8nF,典型值是1nF,*大值是1.2nF。VR=12V时,电容的*小值是220pF,典型值是260pF,*大值是350pF。当RL=50Ω, VR=12V时,上升时间的典型值是30纳秒。从波长与灵敏度的关系图中可以看到在集成滤光片在13.5nm波长后灵敏度的值是下降的。
品牌: | 美国OptoDiode |
型号: | 暂无 |
封装规格: | 1 |
正向电流(If): | 1 |
反向重复电压(Vrrm): | 1 |
正向电压(Vf): | 1 |