260-1100nm，极高增益、极低噪声的Laser Components Si-APD

自2004年Laser Components Detector Group Inc. 成立以来，已经建立了一个产品系列，包括高质量的 APD和低成本版本，有效区域范围从230μm到3mm不等。根据类型和规格，APD用于工业、军事和医疗市场中的测距、速度测量、激光雷达、安全扫描仪、光谱学、荧光测量以及测试和测量系统。硅材料雪崩光电二极管在光线不足时*有效。LC硅雪崩光电二极管采用不同的TO外壳，具有某些选项，例如镜头盖、集成滤光片、带 TEC、SMD外壳或仅在陶瓷底座上。TO-46外壳中的所有硅材料APDs均提供可选光纤耦合。
硅材料APDs，雪崩光电二极管主要包含SAE/SAR/SARP/SARF系列光电二极管以及低成本雪崩二极管SAHA系列。这些系列的雪崩Si-APD的共同点是适用于260nm至1100nm的光谱范围，具有极高的量子效率、极低的噪声。Laser Components硅材料APDs的存储温度范围-55-100℃，工作温度范围-40-85℃。下面对每个系列的硅材料雪崩光电二极管分别进行介绍。
 
SAE系列：
LC硅雪崩光电二极管SAE系列采用外延结构，可提供红光增强（即针对可见光波长优化）或近红外增强（即针对近红外波长优化）版本。这些雪崩硅光电二极管价格低廉，具有非常大的增益和动态范围。硅雪崩光电二极管SAE系列分为红外增强型SAE230VS和SAE500VS，近红外增强型SAE230NS和SAE500NS。雪崩二极管SAE系列的增益都是倍增的，M>100，有效区域500μm（近红外增强型SAE230NS和SAE500NS还包含250μm区域）。应用范围主要是测距和光通信系统。