LASER COMPONENTS的先进LTO红外探测器具备ALT3151X2000、ALUT3151X1300两种型号，融合了现有LTO与DLATGS探测器的双重优势。凭借其超薄设计，该先进红外钽酸锂探测器信号强度提升至4倍，性能显著增强。先进热释电红外探测器支持根据应用需求灵活选择响应速度，并提供多种传输窗口片配置。先进LTO红外探测器为电压模式先进单通道热释电探测器，可配备多种红外透射窗口片：业界广泛使用的KBr窗口片透射范围可达30μm，其他可选窗口片包括BaF₂、CaF₂、CsI、CVD金刚石、硅和ZnSe等。对于太赫兹波段，HDPE窗口片透射范围显著超过60μm。先进钽酸锂红外探测器在出厂时以1kHz频率校准，适用频率范围可达约10kHz。该先进红外钽酸锂探测器对红外通量变化具有快速响应特性，满足FTIR系统对红外探测器的性能要求。工作温度范围为-20至+55℃，与所有光学元件相同，该高功率红外光谱探测器需在无冷凝环境中工作。KBr和CsI等红外透射窗口片具有吸湿性，应避免暴露于高湿度环境。
此外，高功率红外光谱探测器经测试可在室温环境下稳定工作，彻底避免了DLaTGS探测器常见的去极化问题。在红外通量增强时仍保持高线性度，并具备610℃的高居里温度。先进热释电探测器是FTIR光谱学的理想选择，同时也适用于长波长激光功率的测量与监控应用。
这类高功率傅里叶变换红外探测器无需进行温度稳定或冷却处理，在高光功率傅里叶变换红外光谱的测试中，该探测器表现出优异的线性度。与一些使用浸没透镜的量子探测器相比，ALT/ALUT探测器具有更大的有效探测区域。与单通道热释电探测器相同，该高功率傅里叶变换红外探测器也需要选择对应的滤光片或窗口片来进行相应的探测工作，不同的是高功率红外光谱探测器非常适合傅里叶变换红外光谱分析。 高功率傅里叶变换探测器，LASER COMPONENTS特点：
-任何被吸收的辐射均能产生信号
-紫外至长波红外的宽光谱覆盖范围
-先进LiTaO3探测器标配降噪功能
-先进红外钽酸锂探测器通常比标准LTO探测器具备更高比探测率D*
-支持全红外光谱至太赫兹波段配置
-亚像素合并分段技术使信噪比提升2倍（相较于未分段探测器）


LC先进热释电探测器应用：
-FTIR光谱分析
-非分散红外光谱技术
-太赫兹探测

LC先进热释电探测器ALT3151X2000数据规格表：
先进热释电探测器ALT3151X：负载电阻10GΩ，放大电路 JFET2，电源电压推荐9V*大25V，极性为负极性。
-该先进钽酸锂红外探测器无温度波动补偿（TFC）
-单通道薄芯片LTO热释电探测器
-适用于傅里叶变换红外光谱（FTIR）和时域激光光谱（TDLS）
-电压模式
-高频应用
-可作为FTIR应用中DLaTGS探测器的替代品
-对红外通量变化响应快速

型号	元件尺寸(mm)	孔径尺寸(mm)	响应度(V/W)	比探测率D*(Jones)		视野角(°)	NEP(W/√Hz)	封装类型
			典型值	*小值	典型值		典型值
ALT3151X2000	直径2.0	直径5.3	13	1.0E+08	1.3E+08	82	1.4E-09	TO-39,4-pin

-先进热释电红外探测器孔径尺寸随选配滤光片或窗片变化。表中先进单通道热释电探测器的响应度为未安装滤光片或窗片的数据。响应度、比探测率D*、与NEP均为1kHz频率下的数据，视野角为搭载KBr窗片下的数据。


ALUT3151X1300高功率傅里叶变换探测器，LASER COMPONENTS数据规格表：
先进热释电探测器ALUT3151X：负载电阻10GΩ，放大电路JFET2，电源电压推荐9V*大25V，极性为负极性。
-该先进钽酸锂红外探测器无温度波动补偿（TFC）
-适用于傅里叶变换红外光谱（FTIR）和时域激光光谱（TDLS）
-电压模式
-高频应用
-可作为FTIR应用中DLaTGS探测器的替代品
-采用2μm超薄LTO有源元件
-先进LiTaO3探测器对红外通量变化具有快速响应特性

型号	元件尺寸(mm)	孔径尺寸(mm)	响应度(V/W)	比探测率D*(Jones)		视野角(°)	NEP(W/√Hz)	封装类型
			典型值	*小值	典型值		典型值
ALUT3151X1300	直径1.3	直径5.3	23	1.6E+08	1.8E+08	82	1.8E+08	TO-39,4-pin

-先进热释电红外探测器孔径尺寸随选配滤光片或窗片变化。表先进单通道热释电探测器的响应度中为未安装滤光片或窗片的数据。响应度、比探测率D*、与NEP均为1kHz频率下的数据，视野角为搭载KBr窗片下的数据。


-先进LiTaO3探测器绝对*大额定值

参数	*小值	*大值
		ALT31/ALUT31
存储温度℃	-25	+55
工作温度℃	-20	+55
焊接温度℃	+280	+300
ESD损坏阈值，HBM等级(V)	0	<250